產(chǎn)品時(shí)間:2024-10-23
1、 可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。2、 可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無需拋光、鈍化。3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
·數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀
型號(hào):KDK-LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。
該設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法"設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。
KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點(diǎn):
1、 可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、 可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測量低阻太陽能級(jí)硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍 0.25μS—10ms