本設(shè)備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻,HD-KDB-2B 測試儀嚴(yán)格參照國際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對設(shè)備的要求研制,運用了*半導(dǎo)體薄層測量技術(shù),無需特別制
樣,可測不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo):方塊電阻測量范圍(3 位有效數(shù)字):0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設(shè)備包含:
HD-KDB-2B 主機 一臺
HD-KDJ-1A 手動測試架 一臺
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購件:
微控制器及配套測試系統(tǒng) 一套